Корейская Samsung начала массовое производство первых в отрасли чипов памяти, созданный по технологии MLC, поддерживающих до 3 бит на одну ячейку. Благодаря сверхплотному размещению информации, новые 64-гигабайтные чипы памяти на 14% меньше, чем их классические 64-гигабайтные собратья. В Samsung говорят, что технически новая технология позволяет удвоить емкость чипов памяти, используемых в современных цифровых устройствах.
Новые микросхемы также предлагают высокую скорость обмена данными за счет использования технологии Toggle DDR 1.0. Созданы новинки по 30-нанометровой технологий и используют спецификации SDR (Single Data Rate).
Ранее Samsung объявила о том, что компания первой в мире начала производство 20-нанометровых чипов памяти, являющихся самыми компактными в мире, правда, пока здесь не идет речи о массовом производстве.
Отметим, что на сегодня существует несколько технологий производства памяти NAND, в частности SLR (Single-Level Cell) и MLC (Multi-Level Cell). Первая предполагает размещение 1 бита памяти на 1 ячейку, вторая - двух или, реже, трех бит. Первая технология является менее емкой, но более скоростной и долговечной, поэтому SLC чипы преимущественно используются в решениях корпоративного уровня, тогда MLC-чипы находят применение в потребительской электронике.
